Fakultät Mechatronik und Elektrotechnik
Prof. Dr.-Ing. Dipl.-Ing.
Martin Neuburger
Funktionen
  • Laborleitung - Labor INEM GP
  • Laborleitung - Labor Elektrische Antriebe und Anlagen
Fachgebiete

Leistungselektronik / Regelungstechnik / Erneuerbare Energien

Adresse
Anschrift

Hochschule Esslingen
University of Applied Sciences
Robert-Bosch-Straße 1
73037 Göppingen
Deutschland

Tel: +49 (0) 7161 679 1263

Raum G 01.011a
E-Mail
Telefon 07161/679-1263
Fax 07161/679-28 1263
Sprechstunde

Mittwoch 10:00 - 10:45

Veröffentlichungen

Erfindungsmeldungen / Patente

  • M. Neuburger, K. Spanos,"Nutzung des Sternpunktpotential eines Antriebsinverters in E-Fahrzeugen zur DC/DC-Wandlung", to be published.
  • D. J. Duleepa, U. K. Madawala, M. Neuburger, "An Integrated Multi-Source Ipt-System For Dynamic Electric Vehicle Charging", to be published.
  • M. Neuburger, G. Schmidt, "Elektrisches System zur Einspeisung von elektrischer Energie für den Betrieb eines Elektromotors'',DE 10 2014 000 331.
  • M. Neuburger, "Bidirektional sperrender Halbleiterschalter und zugehörige Leistungsschaltstufe in einem Fahrzeug," DE 10 2012 223 833.

  • N. A. Mohammad, M. Neuburger, T. Plum, K. Spanos, H. Steinbuch, "Wechselrichter und Verfahren zum Betrieb eines Wechselrichters", DE 10 2012 223 170.

  • M. Neuburger, I. Serban, "Vefahren zur Verlängerung der Lebensdauer des Wechselricherters einer elektrischen Anlage, elektrische Anlage und Steuer- und Regeleinheit für eine elektrische Anlage," DE 10 2012 215 978.

  • M. Neuburger, K. Spanos, T. Plum, H. Steinbuch, "Vefahren zur Erhöhung der Lebensdauer des Zwischenkreiskondensators einer einen Wechselrichter aufweisenden elektrischen Anlage, elektrische Anlage und Steuereinheit für eine elektrische Anlage," DE 10 2012 215 975.

  • M. Neuburger, K. Spanos, T. Plum, H. Steinbuch, "Vefahren zur Überwachung des Alterungszustandes des Zwischenkreiskondensators einer elektrischen Anlage und Steuereinheit für eine elektrische Anlage," DE 10 2012 215 963.

  • M. Neuburger, K. Spanos, T. Plum, H. Steinbuch, "Leistungselektronische Anordnung mit Symmetrierung eines Spannungsknotens," DE 10 2012 204 108.

  • M. Neuburger, V. Rieger, „Elektrische Maschine mit Sicherheitsschaltung,“ DE 10 2011 078 157.
  • Neuburger, V. Rieger, „Verfahren und Vorrichtung zur Messung von Phasenstromangaben und einer Erregerstromangabe in einer elektrisch erregten elektrischen Maschine,“ DE 10 2011 078 155.
  • M. Neuburger, K. Reutlinger, „Verfahren und Vorrichtung zum Betreiben einer fremd- oder hybriderregten elektrischen Maschine,“ DE 10 2010 064 177.
  • K. Herber, M. Neuburger, „Verfahren und Vorrichtung zur Überprüfung der Thresholdspannungen einer Endstufe,“   DE 10 2010 043 441.
  • M. Neuburger, „Verfahren zur Drehzahlbestimmung und Antriebseinheit,“ DE 10 2010 062 646.
  • M. Sonnemann, S. Szoke, M. Neuburger, Z. Kosznai, I. Fater, „Schaltungsanordnung und Verfahren zur Anlaufstrombegrenzung bei einem Starter.“ DE 10 2010 063 744.
  • M. Neuburger, W. Haas, „Hochstromschaltung, Verfahren zum Betreiben einer Hochstromschaltung,“ DE 10 2009 045 350.
  • A. Maass, M. Neuburger, M. Kustosch, K.-O. Schmidt, T. Apostolos, „Hybrid drive operation method for motor vehicle, involves starting combustion engine after detecting operation variable, when combustion engine is inactive or blocking shutdown process of engine, when engine is active.,“ WO 2009 112 105.
  • M. Neuburger, „Verfahren zum Erfassen einer Temperatur einer elektromechanischen Komponente und Steuergerät,“ DE 10 2009 00 593.
  • M. Neuburger, K.-O. Schmidt, T. Apostolos, „Startvorrichtung für eine Brennkraftmaschine und Verfahren zum Betreiben einer Startvorrichtung,“ EP 2 199 596.
  • T. Botzenhard, J. Gattnar, J. Heusel, M. Neuburger, P. Farr, K.-O. Schmidt, T. Apostolos, T. Knorr, „Method for operating a starter device and starter device,“ WO 2009/095115.
  • M. Neuburger, K.-O. Schmidt, T. Apostolos, „Method for operating starter device utilized for performing start-stop-operation of internal-combustion engine in motor vehicle, involves positively holding starter pinion in meshed position by holding device,“ DE 10 2008 043 780.
  • M. Neuburger, K.-O. Schmidt, T. Apostolos, „Verfahren zur Detektion von Antriebsfunktionen eines Kraftfahrzeugs, Computerprogrammprodukt, Steuervorrichtung und elektrische Maschine,“ DE 10 2008 040 431.
  • M. Neuburger, A. Herzog, J. Gross, W. Haas, G. Walter, „Startersteuerung, Verfahren zum Betreiben einer Startersteuerung und Computerprogrammprodukt,“ DE 10 2008 043 563.
  • R. Hirning, M. Neuburger, R. Pirsch, A. Herzog, J. Gross, M. Mezger, W. Haas, G. Walter, „Schaltungsanordnung und Verfahren zum Herstellen einer Schaltungsanordnung,“ DE 10 2008 043 537.
  • R. Hirning, M. Neuburger, R. Pirsch, A. Herzog, J. Gross, M. Mezger, W. Haas, G. Walter, „Verfahren zum Betreiben einer Steuerung, Computerprogrammprodukt, Steuerung, Startvorrichtung und Startersystem,“ DE 10 2008 043 542.
  • M. Gesellmann, M. Neuburger, J. Ge, A. Herzog, M. Waidmann, G. Walter, „Startersteuerung, Startersystem, Verfahren für dieselben, Computerprogrammprodukt,“ DE 10 2008 043 544.
  • M. Neuburger, „Elektronische Schaltanordnung mit Verpolschutz und Verfahren zu deren Steuerung,“ DE 10 2008 041 854.
  • M. Neuburger, K.-O. Schmidt, T. Apostolos, „Verfahren und Vorrichtung einer Start-Stopp-Steuerung für eine Brennkraftmaschine,“ DE 10 2008 040 830.
  • M. Neuburger, P. Farber, M. Hirsch, S. Braun, J. Richter, „Luminous module,“ WO 2008/025-625.
  • M. Neuburger, J. Heusel, T. Knorr, „Starter mechanism having a multilevel lifting hubrelais,“ WO-2008 11 95 77.
  • M. Neuburger, J. Heusel, J. Ge, K. Heyers, T. Apostolos, „Starter For Internal Combustion Engines Having Relief Switch,” WO 2008/043589.
  • M. Neuburger, J. Heusel, „Trennrelais sowie Verfahren zum Betreiben eines Trennrelais“ DE 10 2007 027 895.
  • M. Neuburger, „Schaltungsanordnung mit einem bidirektional sperrenden Halbleiterrelais,“DE 10 2007 008 264.
  • M. Neuburger, D. Streb, J. Heusel, „Switched-Mode Power Supply Comprising Adaptive And Loss-Free Switching Operations,“ WO 2007/090476.
  • M. Neuburger, K. Heyers, J. Ge, T. Apostolos, J. Heusel, „Device having a first gearing part for meshing with a second gearing part, in particular a starting device having a pinion for meshing with a ring gear of an internalcombustion engine, and method of operating such a device,“ WO-2007 10 17 70.
  • A. Dadgar, M. Neuburger, A. Krost, E. Kohn, I. Daumiller,M. Kunze, „Verfahren zur Herstellung von Gruppe-III-Nitrid p-Kanal Transistorstrukturen.“ DE 10 2004 034 341.1.

 Konferenzvorträge / Seminar

  • A. Wölfl, F. Bertele, U. Ammann, M. Neuburger, N, Grass, "Vernetztes Kompensationssystem zur Netzstabilisierung", Zukunftsfahige Stromnetze, Berlin, Germany, September 23, 2016.
  • G.  R. Kalra, D. J. Thrimawithana, D. Huang, U. Madawala, M. Neuburger, "A Comparative Study on Grid-Integration Techniques used in Bi-Directional IPT based V2G Applications", The 2nd IEEE Annual Southern Power Electronics Conference (SPEC)}, Auckland, New Zealand, session 34, pp. 502-506, December 5-8, 2016.
  •  M. Neuburger, D. J. Thrimawithana, F. Bertele, U. Ammann, W. Seeger, "A new topology for an unidirectional galvanic isolated combined converter", The 2nd IEEE Annual Southern Power Electronics Conference (SPEC), Auckland, New Zealand, session 17, pp. 273-276, December 5-8, 2016.

  • S. I. Ruddell, U. K. Madawala, D. J. Thrimawithana, M. Neuburger, "A Novel Wireless Converter Topology for Dynamic EV Charging", 2016 IEEE Transportation Electrification Conference & Expo (ITEC’16), Dearborn, Michigan, USA, June 2016.
  • S. I. Ruddell, U. K. Madawala, D. J. Thrimawithana, M. Neuburger, "A Novel Single-Phase AC-AC BD-IPT System With Zero Power Ripple", IEEE Power and Energy Conference at Illinois (PECI'6), Illinois, USA, February 2016.
  • M. Neuburger, D. J. Thrimawithana ,,A New Topology For Fuel Cell Power Trains Including A New Integrated Converter,''IEEE Southern Power Electronics Conference (SPEC), Brazil, Fortaleza, 29.November- 2. December 2015.
  •  G. Pivnyak, A. Beshta, M. Neuburger, N. Neuberger, ,,Combined electrical converter for transportational systems,'' Forum Of Mining Engineers - 2015 International Scientific And Technical Conference, Ukraine, Dnepropetrovsk, October 2015. 

  • M. Neuburger, IEEE IES/IAS Seminar on Modern Power Electronics Converters - A Mechatronic Design Approach, 12th March 2015, Building 403, Room 402 Engineering School, 20 Symonds St, Auckland CBD , New Zealand.
  • M. Neuburger, M. Neuberger, ,,Photovoltaic Energy for mobile applications,''1st International Conference on Engineering Science and Innovative Technology (ESIT 2014), Krabi, Thailand, April 8 - 10, 2014.
  • M. Neuburger, ,,Photovoltaik basiertes Inverter-Ladegerät,'' 14. Internationales Stuttgarter Symposium Automobil- und Motorentechnik, Stuttgart, Deutschland, 18-19. März, 2014.
  • M. Neuburger, G. Schmidt, "A new topology for a photovoltaic based range extender,'' IEEE International Conference on Industrial Technology (ICIT) , Busan, South Korea, 26 February - 1 March 2014.
  • M. Neuburger, W.-D. Lehner, N. Neuberger,  ,,Lifetime prediction for electrical drives - limiting factor capacity,“ XX int. Konferenz: Probleme der automatisierten elektrischen Antriebe, Theorie und Praxis, Krim, Ukraine, September 2013.
  • G. Pivnyak, A. Beshta, N. Neuberger, M. Neuburger, E. Nolle, R. Würslin, ,,Einfluss der Formen der internationalen Kooperation auf das Qualitätsniveau von wissenschaftlichen Fachkräften,“ XX int. Konferenz: Probleme der automatisierten elektrischen Antriebe, Theorie und Praxis, Krim, Ukraine, September 2013.
  • M. Neuburger, ,,Projekte zur Nachhaltigen Energietechnik,“ Leistungsschau Institut für Nachhaltige Energietechnik und Mobilität, Hochschule Esslingen, 22. April 2013.
  • G. Schmidt, M. Neuburger, „On Delta - Sigma - Modulation Techniques for Permanent - Magnet Synchronous Motors,“ IEEE International Conference on Industrial Technology (ICIT) , Capetown, South Africa, 25 - 27 February 2013.
  • M. Neuburger, „Übersicht über Antriebskonzepte in der Windkraft,“ Windenergienutzung in komplexem Gelände , Ulm, Germany, 20 Februar 2013.
  • M. Neuburger, G. Schmidt, N. Neuberger, „Auxiliary Power Supply - Based on Photovoltaic Energy,“ Problems of automatic electric drive - Theory and Applications , Crinema, Ukraine, 20 September 2012.
  • H. E.-Hajj, M. Neuburger, S. Lorch, M. Schwitter, D. Twitchen, E. Kohn, „PIP MISFET structure with 150 nm contact spacing opened into a boron delta doped contact layer“ 16th European Conference on Diamond, 11-16 September, Toulouse (France), 2005.
  • A. Dagdar, J. Blaesing, C. Hums, M. Neuburger, I. Daumiller, M. Kunze, H. Witte, A, Krtschil, A. Diez, E. Kohn, A. Krost, „MOVPE growth of AlInN based devices“ MRS Fall Meeting (USA), 2005.
  • A. Dadgar, A. Krtschil, H. Witte, A. Diez, A. Krost, M. Neuburger, E. Kohn, I. Daumiller, K. Kunze, „AlInN basierte elektronische und optoelektronische Bauelemente,“ Deutsche Physikalische Gesellschaft, Frühjahrstagung, Berlin, 2005.
  • J. Kuzmik, S. Bychikhin, M. Neuburger, A. Dadgar, M. Blaho, A. Krost, E. Kohn, D. Pogany, „Transient Self-Heating Effects in AlGaN/GaN HEMTs“, 2005 Electronic Materials Conference, Santa Barbara (USA), June 2005.
  • M. Neuburger, E. Kohn, Z. Sitar, C. Kirchner, F. Scholz, „High Temperature Characteristics of AlN, WOCSEMMAD 04, 21-24 February, USA, 2005.
  • M. Neuburger, E. Kohn, I. Daumiller, M. Kunze, A. Dadgar, A. Krost, „InAlN/GaN-FET - A novel Device Structure for High Power Application“ El EM '05, Network Target of Excellence, 12-16 April, Orvieto Palazzo del Capitano del Popolo, (Italy), 2005.
  • A. Dadgar, H. Witte, J. Bläsing, A. Krtschil, A. Diez, A. Krost, M. Neuburger, E. Kohn, I. Daumiller, M. Kunze, „MOVPE Growth of AlInN FETs on Si substrates“ 11th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy, 5-8 June, Lausanne (Switzerland), 2005.
  • M. Schwitters, M. P. Dixon, A. Tajani, D. J. Twitchen, S. E. Coe, H. El-Haji, M. Kubovic, M. Neuburger, A. Kaiser, E. Kohn, „Diamond-MESFETs - Synthesis and Integration“ 2nd EMRS DTC Technical Conference, 16-17 June, Edinburgh (U.K.), 2005.
  • E. Kohn, M. Neuburger, T. Zimmermann, R. Birkhahn, D. W. Gotthold, „Characterization of Surface Charging Effects in Passivated GaN-Based HFETs using MOS Test Electrode,“ WOCSEMMAD 04, Pasadena, California (USA), Februar 2004.
  • M. Neuburger, T. Zimmermann, I. Daumiller, M. Kunze, A. Dadgar, A. Krost, E. Kohn, „Characteristics of AlGaN/GaN-HFETs on 111-Silicon,“ Third Joint Symposium on Opto- & Microelectronic Devices and Circuits,“ Wuhan, Hubei (China), March 2004.
  • M. Neuburger, M. Kunze, I. Daumiller, T. Zimmermann, A. Dadgar, A. Krost, S. Hettich, H. Schumacher, E. Kohn, „Balanced AlGaN/GaN-HFET Amplifier based on 111 Silicon Substrate,“ 2004 International Conference on Compound Semiconductor Manufactoring Technology (GaAs MANTECH), pp.# 6.5, Miami Beach, Florida (USA), May 2004.
  • R. Behtash, H. Tobler, F. J. Berlec, V. Ziegler, H. Leier, B. Adelseck, T. Martin, R. Balmer, D. Pavlidis, R. H. Jansen, M. Neuburger, H. Schumacher, „Coplanar AlGaN/GaN HEMT power amplifier MMIC at X-band,“ 2004 International Microwave Symposium, Session: TH3C-3, Fort Worth, Texas (USA), June 2004.
  • M. Neuburger, T. Zimmermann, I. Daumiller, P. Benkart, M. Kunze, A. Dadgar. A. Krost, E. Kohn, „GaN Based Piezo Sensors,“ 62st Device Research Conference 2004, Session: PM IL-B8, Notre Dame, Indiana (USA), June 2004.
  • M. Neuburger, T. Zimmermann, M. Kunze, I. Daumiller, A. Dadgar, J. Bläsing, A. Krost, E. Kohn, „Unstrained InAlN/GaN-FET,“ IEEE Lester Eastman Conference On High Performance Devices, Troy, New York (USA), August 2004.
  • K. Kuzmik, S. Bychikhin, M. Neuburger, E. Kohn, D. Pogany, „Transient interferometry mapping of dissipated power in Si/GaN/AlGaN HEMTs,“ Target Network of Excellence, Netherlands, September 2004.
  • A. Dadgar, M. Neuburger, E. Kohn, A. Krost, „Wachstum von InAlN,“ Deutsche Gesellschaft für Kristallwachstum und Kristallzüchtung,Freiburg (Germany), December 2004.
  • T. Zimmermann, M. Neuburger, I. Daumiller, M. Kunze, A. Denisenko, A. Dadgar, A. Krost, E. Kohn, „P-Channel InGaN-HFETs structure based on polarization doping,“ 61st Device Research Conference 2003, IEEE, Salt Lake City, Utah (USA), June 2003.
  • M. Neuburger, I. Daumiller, M. Kunze, M. Seyboth, T. Zimmermann, „Stability Investigation of InGaN-HFETs,“ WOCSEMMAD 03, Atlanta, Georgia (USA), Februrary 2003.
  • M. Neuburger, I. Daumiller, M. Kunze, B. Jogai, J. Van Nostrand, J. Sewell, T. Jenkins, E. Kohn „Design of GaN based Field Effect Transistor Structure based on Doping Screening of Polarization Field“, 7th International Workshop on Wide Bandgap III-Nitrides, Richmond, Virginia (USA), March 2002.
  • M. Seyboth, F. Habel, I. Daumiller, M. Neuburger, M. Kunze, E. Kohn, „InGaN-channels for Field Effect Transistor Application,” 44th Electronic Materials Conference, IEEE, Santa Barbara, California (USA), June 2002.
  • M. Neuburger, I. Daumiller, E. Kohn, „Simulation of GaN based Heterostructure FETs with InGaN Channel,“ Semiconductor Advances for Future Electronics 2000, SAFE ,Veldhoven, Netherlands, Abstracts 32, December 2000.

 Publikationen / Artikel

 

  • M. Neuburger, J. Haag, "Photovoltaik im Elektrofahrzeug,'' Forschungsreport für die Elektrotechnik in Baden Württemberg 2014, ISSN 2199-4889, pp. 14-17, 2015.
  • M. Neuburger, A. Aleksov, R. Schlesser, E. Kohn, Z. Sitar, „Electronic high temperature characteristics of AlN,“ IEE Electronics Letters, vol. 43, no. 10, pp. 592-593, 2007.
  • T. Zimmermann, M. Neuburger, P. Benkart, F. J. Hernandez Guillen, C. Pietzka, M. Kunze, I. Daumiller, A. Dadgar, A. Krost, E. Kohn, „Piezoelectric GaN Sensor Structures,“ IEEE Electron Device Letters, vol. 27, no. 5, pp. 309-312, 2006.
  • J. Kuzmik, S. Bychikhin, M. Neuburger, A. Dadgar, M. Blaho, A. Krost, E. Kohn, D. Pogany, „Transient thermal characterization of AlGaN/GaN HEMTs grown on silicon,“ IEEE Transactions on electron Devices, vol. 52, no. 8, pp. 1698-1705, 2005.
  • A. Dadgar, M. Neuburger, F. Schulze, J. Bläsing, A. Krtschil, I. Daumiller, M. Kunze, K.-M. Günther, H. Witte, D. Diez, E. Kohn, E. Krost, „High-current AlInN/GaN field effect transistors,“ Physica Status Solidi a, vol. 202, no. 5, pp. 832-836, 2005.
  • M. Neuburger, A. Dadgar, T. Zimmermann, F. Schulze, A. Krtschil, M. Günther, H. Witte, J. Bläsing, I. Daumiller, M. Kunze, A. Krost, E. Kohn, „Unstrained InAlN/GaN-HEMT Structure,“ International Journal of High Speed Electronics and Systems, Electronics and Systems, vol. 35, pp. 161-166, 2005.
  • A. Dadgar, F. Schulze, J. Bläsing, A. Diez, A. Krost, M. Neuburger, E. Kohn, I. Daumiller, M. Kunze „High sheet charge carrier density AlInN/GaN field effect transistors on Si(111)“ Applied Physics Letters, vol. 85, pp. 5400-5403, 2004.
  • T. Zimmermann, M. Neuburger, M. Kunze, I. Daumiller, A. Denisenko, A. Dadgar, A. Krost, E. Kohn, „P-Channel InGaN-HFET Structure Based on Polarization Doping,“ IEEE Electron Device Letters, vol. 25, no. 7, pp. 450-452, 2004.
  • R. Behtash, H. Tobler, F. -J. Berlec, V. Ziegler, H. Leier, R. S. Balmer, M. Neuburger, H. Schumacher, „MMIC power amplifier based on AlGaN/GaN HEMTs at 10 GHz,“ IEE Electronics Letters, vol. 40, no. 9, pp. 564-565, 2004.
  • M. Neuburger , J. Allgaier, T. Zimmermann, I. Daumiller, M. Kunze, R. Birkhahn, D. W. Gotthold, E. Kohn, „Analysis of surface charging effects in passivated AlGaN/GaN-FETs using a MOS test electrode,“ IEEE Electron Device Letters, vol. 25 no. 5, pp. 256-259, 2004.
  • M. Kubovic, M. Kasu, I. Kallfass, M. Neuburger, A. Aleksov, G. Koley, M. G. Spencer, E. Kohn, „Microwave Performance Evaluation of Diamond Surface Channel FETs,“ Diamond related materials 2004, vol. 12, pp. 802-807, 2004.
  • E. Kohn, I. Daumiller, M. Kunze, M. Neuburger, M. Seyboth, T. Jenkins, J. Sewell, J. Van Nostrand, Y. Smorchkova, U. Mishra, „Transient Characteristics of GaN Based Heterostructure Field Effect Transistors,“ IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, vol. 51, no. 2, pp. 634-642, 2003.
  • M. Neuburger, I. Daumiller, M. Kunze, M. Seyboth, T. Jenkins, J. Van Nostrand, E. Kohn, „Novel GaN-Based FET-structures,“ phys. stat. sol. (c), vol. 0, no. 6, pp. 1919-1939, 2003.
  • R. Behtash, H. Tobler, M. Neuburger, A. Schurr, H. Leier, Y. Cordier, F. Semond, F. Natali, J. Massies, „AlGaN/GaN HEMTs on Si[111] with 6.6 W/mm output power density,“ IEE Electronics Letters, vol. 39, no. 7, pp. 626-628, 2003.
  • M. Neuburger, I. Daumiller, T. Zimmermann, M. Kunze, G. Koley, M. G. Spencer, A. Dadgar, A. Krtschil, A. Krost, E. Kohn, „On the surface Stability of InGaN-channel based HFETs,“ IEE Electronics Letters, vol. 39, no. 22, pp. 1614-1616, 2003.
  • M. Neuburger, I. Daumiller, M. Kunze, T. Zimmermann, B. Jogai, J. Van Nostrand, J. Sewell, T. Jenkins, A. Dadgar, A. Krost, E. Kohn, „The Role of Charge Dipoles in GaN HFET Design,“    phys. stat. sol. (c), vol. 0, no. 1, pp. 86-89, 2002.
  • E. Kohn, I. Daumiller, M. Neuburger, M. Kunze, M. Seyboth, „InGaN-Channel Field-Effect Transistors - A Case of Polarized Heterojunctions,“ Physics of Semiconductor Devices, Allied Publ. Ltd. (ISBN 81-7764-224-3), vol. 2, pp. 771-778, 2001.

 Konferenzbeiträge (invited)

 

  • E. Kohn, M. Neuburger, I. Daumiller, A. Krtschil, A. Krost, J. Van Nostrand, T. Jenkins, „Instabilities in GaN based FET devices-Nature and alternative structures,“ 203rd Meeting of the Electrochemical Society, Vol. 12, No. 1, Abstracts 796, Paris, France, April 2003.
  • M. Neuburger, I. Daumiller, M. Kunze, E. Kohn, “On the design of double Barrier AlGaN/GaN HFET Structures,” 26th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe, Moscow, Russia, May 2002.
  • E. Kohn, I. Daumiller, M. Neuburger, M. Seyboth, C. Kirchner, M. Kamp, „InGaN-Channel FETs-Growth, Technology and Characteristics,“ MRS 2001 Spring Meeting Proceedings, vol. 680E, no. E3.1, 2001

Konferenzbeiträge (Poster)

 

  • M. Neuburger, E. Nolle, R. Würslin „Windmill design - a system approach,“  German Wind Energy Conference (DEWEK) 2012, Bremen, Germany, 7-8 November 2012.
  • T. Zimmermann, M. Neuburger, P. Benkart, F. J. Hernandez-Guillen, C. Pietzka, M. Kunze, I. Daumiller, A. Krost, E. Kohn, „InAlN/GaN-FET - A Novel Device Structure for High Power Application,“  EU NOE Target, 2005.
  • M. Neuburger, M. Kunze, I. Daumiller, T. Zimmermann, A. Dadgar, A. Krost, S. Hettich, H. Schumacher, E. Kohn, „Balanced AlGaN/GaN-HFET Amplifier based on 111-Silicon Substrate,“ 2004 International Conference on Compound Semiconductor Manufactoring Technology (CS GAAS MANTECH), Miami Beach, Florida (USA), May 2004.
  • A. Dadgar, M. Neuburger, F. Schulze, J. Bläsing, A. Krtschil, E. Kohn, A. Krost, „InAlN/GaN field-effect transistors,“ 9th International Workshop on Wide Bandgap III-Nitrides, Session: Opto and Electronic Device Related (P3.1), Pittsburgh, Pennsylvania (USA), July 2004.
  • T. Zimmermann, M. Neuburger, M. Kunze, I. Daumiller, E. Kohn „GaN basierende p-Kanal HFETs unter Verwendung zweidimensionaler Löchergase,“ 10 Jahre Mikroelektrotechnikum,“ 20. November, 2003, Ulm, Germany.
  • M. Kubovic, M. Kasu, A. Aleksov, I. Kallfass, M. Neuburger, E. Kohn, „80 GHz Diamond Surface Channel FET,“ 10 Jahre Mikroelektrotechnikum, 20. November, 2003, Ulm, Germany.
  • M. Neuburger, I. Daumiller, M. Kunze, T. Zimmermann, A. Dadgar, A. Krost, E. Kohn, „Gallium-Nitrid (GaN)-basierende HFETs: Die nächste Generation von Leistungstransistoren,“ 10 Jahre Mikroelektrotechnikum, 20. November, 2003, Ulm, Germany.
  • M. Neuburger, I. Daumiller, M. Kunze, T. Zimmermann, B. Jogai, J. van Nostrand, J. Sewell, T. Jenkins, A. Dadgar, A. Krost, E. Kohn, „The Role of Charge Dipoles in GaN HFET Design,” International Workshop on Nitride Semiconductors 2002, Aachen (Germany), Abstracts 257-P-364, September 2002.
  • M. Neuburger, I. Daumiller, P. Schmid, C. Kirchner, M. Seyboth, M. Kamp, E. Kohn, „Device Simulation and Characterization of GaN/InGaN/GaN Heterostructure FETs,“ 10th European Heterostructure Technology Workshop, HETECH, Günzburg, Germany, Abstracts: Late Submission, September 2000.